パワーエレクトロニクス最前線 特集

三菱電機は、パワーデバイス製作所福山工場の12インチSiウエハー対応ラインで製造したパワー半導体チップの本格出荷を始めた。同社は「2025年度までにSiパワー半導体の前工程における生産能力を、2020年度に比べ約2倍とする」中期計画に取り組んでいる。

Infineon Technologiesが「世界初の300mm GaNウエハー技術」（同社）を開発した。今回、EE Times Japan記者がドイツ・ノイビーベルクのInfineon本社を訪れ、その概要を聞いた。