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EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2026年10月号：

「PCIM 2026」で見たパワー半導体最前線――電子版2026年10月号

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電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：

こんなに自然なのか！ インテル50周年イベントで驚いたAI翻訳

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福田昭のデバイス通信（528） 2026年度版実装技術ロードマップ（11）：

スマートフォン「iPhone」歴代モデルの要素技術（後編）

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「エネルギーの階段」作る材料設計：

ペロブスカイト太陽電池の高性能化へ　岐阜大が新材料

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5分で分かる！ 今週のエレクトロニクス業界：

AIがけん引、半導体市場が1兆ドル突破 先端実装／通信にも波

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2028年に量産へ：

GFがTSMCの「CoWoS」用Siインターポーザー米国生産

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従来型AIと組み合わせて回答を検証：

歩留まり改善は「LLMだけでは不十分」 米AI新興の挑戦

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SiCパワーデバイスで効率／電力密度を向上：

AIデータセンターの800VDC化へ InfineonとEatonが協業

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「プレーナー」に回帰した理由は？：

ローム、第5世代SiCの狙いと車載モジュール改良の舞台裏

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パワーエレクトロニクス 最前線
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パワーデバイス開発からパワエレ機器設計・応用までの最新情報を追う

CEATEC 2026特集ページ
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2026年10月13〜16日にかけて開催される「CEATEC 2026」の事前情報や、会場レポート記事をお届けします。

半導体後工程
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半導体後工程

「More than Moore」を支える新たな主役

通信技術

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D-band対応、送受信双方で2次元ビーム制御：

135GHz帯で最大8GHz幅　6G向けアンテナモジュール

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位置誤差は平均約3m：

走行車両から10.3Gbps　京大が60GHz帯伝送を実証

部品/材料

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結晶構造が似た材料でも性能に大きな違い：

移動度に4倍超の差　有機半導体の鍵は「分子運動」

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AI PCなどの低消費電力化に貢献：

直流抵抗を約5割低減　太陽誘電のパワーインダクター

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3社共同の実装評価：

BroadcomのCPOスイッチ実装に「業界初成功」、FUJI

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日本法人設立50周年：

Intel CEOが来日 次世代「EMIB-T」で日本との協業重視

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Siの「ドーピング」の考え方を応用：

「原子1層」のp型BCNを2インチで作製　東大

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モノづくり総合版メルマガ 編集後記：

ボイスレコーダーが欲しかったので個性派スマホを買った

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6つのテーマで展開：

細田守×核融合炉新興の対談も 「Japan Summit 2026」10/21〜22開催

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