パワーエレクトロニクス最前線 特集

ロームはSiC MOSFETの開発を加速し、2025年に予定する第5世代品のリリース以降、2027年には第6世代、2029年に第7世代と2年ごとに新世代品を投入する計画を明かした。1世代ごとにオン抵抗を30％削減するという。

東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、高い信頼性と短絡耐久性を維持しながら、低オン抵抗を実現した「SBD内蔵SiC（炭化ケイ素）MOSFET」を開発した。深さの異なるバリア構造を導入することで実現した。