UVナノインプリントによるシリコンフォトニクスプロセスを開発 ラムリサーチのドライレジスト技術をimecが認定 28nmピッチBEOL向け 半導体露光装置を用い可視光平面レンズを大量生産 GaNウエハー取り枚数が8枚から11枚に インゴットをレーザーでスライス