NTTは、半導体メモリ素子(DRAMセル)における熱とエントロピーを、電子1個単位で同時測定することに世界で初めて成功した。省エネルギー情報処理デバイスや次世代メモリ技術への応用が期待される。
記事ランキング
RSSフィード
EE Times Japanについて
会員メニュー
公式SNS
EE Times 海外ネットワーク
海外提携サイト
All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved. This site contains articles under license from AspenCore LLC.
ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。
メディア一覧 | 公式SNS | 広告案内 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | RSS | 運営会社 | 採用情報 | 推奨環境