競争の舞台はいよいよ30nm以下の世界へ、激しさを増すNAND型フラッシュ開発競争：メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュ・メモリ

[Peter Clarke，EE Times]

　NAND型フラッシュ・メモリー市場では、製造技術の微細化競争が過熱気味だ。2010年2月1日には米Intel社と米Micron Technology社が25nm製造技術でNAND型フラッシュ・メモリーの量産を始めると発表し、開発競争の先頭に躍り出た。これに続いたのが韓国のHynix Semiconductor社と韓国Samsung Electronics社だ。

　Hynix社は、記録容量が64GビットのNAND型フラッシュ・メモリーの製造に向けて、26nm製造技術を導入する計画を明らかにした。そしてSamsung社は、2010年第2四半期に27nm製造技術でNAND型フラッシュ・メモリーの量産を目指すと言われている。

　韓国Korea Times紙の記事によると、Hynix社は「26nm製造技術を導入すれば、30nm製造技術と比べて、生産性は2倍に高まり、生産コストを大幅に削減できる」と説明している。

　Hynix社は、2010年第3四半期から26nm製造技術を適用したNAND型フラッシュ・メモリーの量産に入る計画だ。しかし、韓国Telecoms Koreaの報道によれば、Hynix社に先駆けてSamsung社が27nm製造技術での量産を開始するという。Telecoms Korea社は、Samsung社内部の匿名情報として「Samsung社は、2009年10月に27nmのNAND型フラッシュ・メモリー製造技術を完成させており、2010年第2四半期から量産に入る」と伝えている。

　Hynix社とSamsung社が、Intel社とMicron社の連合と同様に、多値セル（MLC：Multilevel Cell）技術を採用するかどうかについては、両報道とも明らかにしていない。

　米国の市場調査会社であるIC Insights社によると、2010年のNAND型フラッシュ・メモリー市場の世界売上高は、2009年の154億米ドルから22％の増加となる188億米ドルに達する見通しだ。これは、半導体市場全体の売上高のおよそ7％を占める。2010年の半導体市場の売上高は、前年比15％増となる2700億米ドルに達する見込みだと同社は予測している。