好調に売上高を伸ばしたHynix、2010年中に製造技術をさらに微細化：メモリ/ストレージ技術

[Mark LaPedus，EE Times]

　韓国Hynix Semiconductor社は、2010年第2四半期（2010年4月〜2010年6月）に記録的な売上高を達成したと発表した。

　さらに同社はDRAM事業において、4Xnmの製造技術への移行を加速させることも明らかにした。3Xnmの製造技術は、2010年内に開発を完了させる計画である。同社は、DDR3対応製品や特殊用途向け製品の売上げ拡大を目標に掲げている。NAND型フラッシュ・メモリ事業については、売り上げの中で3Xnmの製造技術を適用した製品が占める比率を拡大させる予定で、2010年後半には2Xnmの製造技術を適用した製品の量産が始まる。

　Hynix社は素晴らしい成果を残した。具体的には、2010年第2四半期の連結売上高は、2010年第1四半期比で16％増、2009年第2四半期比で96％増の3兆2800億ウォン（27億米ドル）に達した。ただし、連結純利益は2010年第1四半期比で19％減、2009年第2四半期比で58％減の6650億ウォン（5億4220万米ドル）にとどまった。

　これがHynix社の決算の内容だ。売上高が増加した理由は主に、市場の需要が好調だったことと、DRAMの平均小売価格が改善されたことにある。

　同社の営業利益と純利益が異なるのは、外貨取引による純損失や、為替の差損、純金利支払い、2007年12月に発行された転換社債の早期償還に伴う損失が主な理由である。

　DRAMの平均小売価格とビット換算の出荷量は、2010年第1四半期期と比較すると、前者が6％、後者が7％増加している。NAND型フラッシュ・メモリの平均小売価格は、2010年第1四半期に比べて6％減少したが、ビット換算の出荷量は22％増加した。