SiCダイオードとSi MOSFETを1パッケージ化、IXYS社が開発：パワー半導体

[畑陽一郎，EE Times Japan]

　米IXYS社は2010年8月24日、SiC（炭化ケイ素）ダイオードと、Siを用いたMOSFETを1パッケージにまとめた「MKE 11R600DCGFC」を開発した（図1）。効率とパワー密度を高めたことが特徴。スイッチング電源や太陽光発電用のパワーコンディショナー（インバーター）、無停電電源、力率改善回路（PFC）を主な用途とする。

　SiCダイオードを用いたことにより、スイッチング時の損失を低減できる。SiCダイオードとSi MOSFETを1パッケージ化したことで、配線の引き回しなどによる寄生インダクタンスを抑えた。MOSFETは耐圧が高くオン抵抗が低いスーパージャンクション構造を採る。ドイツInfineon Technologies社が開発したCoolMOS技術を適用した。

図1　米IXYS社が開発したSiCダイオードとSi MOSFETを1パッケージ化した「MKE 11R600DCGFC」
ダイオードとトランジスタをそれぞれ実装する場合に比べて実装面積が小さく、効率が高くなる（右）。実装しやすいようソース端子とゲート端子を並べて配置した。回路図も示した（左）。出典:米IXYS社

　耐圧はMOSFET、SiCとも600V。MOSFETのオン抵抗は12A時に150mΩ。SiCダイオードの出力電流は12A。同社がISOPLUS i4と呼ぶ5端子のパッケージに封止した。寸法は20mm×42mm×5mm。