SanDiskが19nm世代のNANDフラッシュをサンプル出荷へ、2ビット/セルで64Gビット：メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュメモリ

SanDiskは19nmプロセス技術で製造するNAND型フラッシュメモリを今四半期中にサンプル出荷する。2011年の下半期には量産を始める予定だ。

[薩川格広，EE Times Japan]

　フラッシュメモリ大手のSanDisk（サンディスク）は2011年4月20日（米国時間）、19nm世代の半導体製造プロセス技術を適用したNAND型フラッシュメモリを発表した。2ビット/セル構造を採用し、記憶容量は64Gビット（8Gバイト）に達する。同社は発表資料の中で、「世界最小・最先端のプロセス世代だ」と主張しており、「当社はこの技術を用いることで、携帯電話機やタブレットPC、その他の機器に向けた、小型かつ大容量の組み込み型ストレージやリムーバブルストレージ装置を実現できるようになる」と述べている。

　フラッシュメモリの製造で提携関係にある東芝と共同運営しているラインで製造する（図1）。サンプル出荷を今四半期中（2011年4〜6月）に開始し、量産を2011年の下半期に始める予定だ。さらに、量産開始と同時に、19nm技術を適用した3ビット/セル品も製品ラインアップに追加するという。

図1　東芝四日市工場（三重県四日市市）　SanDiskと東芝が製造ラインを共同で運営する拠点の1つである。東芝はこの工場内に最新プロセス技術を適用する第5製造棟の建設を開始したと2011年7月に発表しており、この新棟でも両社は製造合弁会社を設立している。出典：東芝の2011年7月14日の報道発表資料