パワートランジスタ市場は2011年に9％成長へ、IC Insightsが予測：ビジネスニュース 市場予測

パワートランジスタ市場の成長が著しい。2010年に44％成長した後、2015年まで成長し続ける見込みだ。IGBTモジュールと耐圧200V以下のFETが市場全体を引っ張る形だ。

[Peter Clarke，EE Times]

　米国の市場調査会社であるIC Insightsは、2011年におけるパワートランジスタの世界市場が、2010年比で9％増となる131億米ドル規模に達する見込みだと発表した。同市場は2010年に、2009年比44％増となる記録的な成長を遂げたばかりだ。IC Insightsは、こうした成長をけん引する分野として、自動車向けや携帯型機器、代替エネルギーアプリケーション、消費電力節減技術などを挙げ、売上高は今後も伸び続けるとみている。

　ただし、パワートランジスタの平均販売価格は、わずかに下落する見込みだという。パワートランジスタの2011年の世界出荷数量は、前年比で11％増加し、過去最高となる588億個に達するとみられるためだ。数量が成長する要因として、車載用電子機器や新しい再生可能エネルギーシステム、電池駆動の携帯型機器、幅広い機器用途に向けた高効率電源などの分野で、伸びが平均を上回っていることが挙げられる。

図1　パワートランジスタの市場予測　円の大きさは2010年の市場規模に比例する。縦軸は2010年時点の市場シェア（％）、横軸は2010年から2015年までの年平均成長率（CAGR）。耐圧200V以下のパワーFETとIGBTモジュールはパワートランジスタ市場に占める比率が高く、今後の成長も期待できる。出典：IC Insights

　2011年のIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュール市場は、前年比10％増となる25億米ドル規模に達する見込みだ。IGBT自体とパワーFETの2011年の売上高は、それぞれ9億6千万米ドルと69億米ドルに達し、9％増加すると予測されている。

今後5年間は成長するという予測

　パワートランジスタの売上高は、2010年〜2015年の間に年平均成長率（CAGR）6.4％で伸び、2015年末には163億米ドルに達する見込みだ。また、同5年間における低耐圧パワーFET（耐圧200Vまで）の売上高は、年平均成長率6.7％で伸び、2015年には64億米ドルに達する見込みだという。IGBTモジュールの売上高は、年平均成長率7％の伸びで2015年には32億米ドルに達し、さらにディスクリートIGBTは、年平均成長率6.5％の伸びで2015年には12億米ドルに達する見込みである。

【翻訳：田中留美、編集：EE Times Japan】