寿命「30億年」に「10年」が挑む：パワー半導体 SiCデバイス（2/3 ページ）

次世代パワー半導体の旗手として脚光を浴びるSiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）。SiCパワー半導体を利用したシステム製品も登場しており、次は自動車への採用に期待が掛かる。だが、SiCにはまだまだ課題が残っていた。その1つが寿命だ。

[畑陽一郎，EE Times Japan]