次世代ストレージ、10個の注目技術：メモリ/ストレージ技術（2/3 ページ）

3次元DRAMの量産が始まり、相変化メモリ（PCM）、スピン注入磁気メモリ（STT-MRAM）など次世代メモリの技術開発がさかんになっている。ここでは、注目のメモリ技術を10個紹介する。

[R Colin Johnson，EE Times]

HDD不要なシステムの実現へ

　IBMのストレージシステム研究チームのメンバーであるIoannis Koltsidas氏は、HDDが不要なシステムの実現に向けて、フラッシュメモリとPCMを搭載した試作ボードを披露した。同ボードは、上部のフラッシュメモリ層と下部のPCM層で形成されている。

レーストラックメモリ

　米国カリフォルニア大学デービス校（UC Davis）は、IBMが考案した「レーストラックメモリ」技術を基に、有望な新材料を使ってレーストラックメモリを実現する手法を発表した。UC Davisの研究チームは、米国の研究都市Research Triangle Parkに拠点を置く半導体研究コンソーシアム「Semiconductor Research Corporation（SRC）」と協力して、HDDやSSDよりも高速で信頼性が高く、高性能、低消費電力なレーストラックメモリを、ナノワイヤーから作製する技術を開発している。

出典：IBM

磁気スピンを生かす

　IBMは、個々の電子の磁気スピンの特性を明らかにし、電子スピンを反転させて1と0に対応させる手法を開発した。これによって、個々の電子にビット情報を書き込むことが可能となった。同社はまた、あらゆる原子にビットデータを書き込める新しいタイプのカスケード接続メモリの開発にも取り組んでいる。IBM Researchアルマデン研究所（Almaden Research Center）に在籍するIBMフェローのDon Eigler氏が率いるグループは、「スピン反転分光法（Spin-flip Spectroscopy）」というナノスケールの新たなキャラクタリゼーション法を披露した。

出典：IBM