14nm SoCや新規メモリなどの研究成果を発表へ――日本の採択論文数は米国に次ぐ計27件：2015 VLSIシンポジウム概要（2/4 ページ）

2015年6月に開催される国際学会「VLSI Technologyシンポジウム」と「VLSI Circuitsシンポジウム」の概要が明らかになった。IoT（モノのインターネット）社会の実現に向けたLSIのデバイス技術と回路技術などに関して、最先端の研究成果が披露される予定である。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

機関別はimec、IBM、東大の順

　採択論文件数を機関別（共著者の場合はファーストオーサーで区別）にも集計している。上位ではimecが9件、IBMが6件、東京大学が4件となった。なお、2014年（ハワイ開催）は2件採択されたSamsung Electronicsが、今回はランク外となった。

機関別採択論文件数の推移 （クリックで拡大） 出典：VLSIシンポジウム委員会

　投稿/採択論文を分野別にみると、メモリ関連が多く全体の約1/4を占めるという。この他では「Advanced CMOS」や「Beyond CMOS」、「Non-Si（シリコン）」といった分野に関する論文の採択件数が多い。会見では、VLSI Technologyシンポジウムの注目論文として11テーマを挙げた。

Intelの14nm SoC技術や28nm混載ReRAMなど

　特に、22nm世代から2倍の密度を達成したIntelの「14nm SoCプラットフォーム技術」（講演番号はT2-1）、フィラメントをセルの中心部に形成することで高い信頼性を得ることができるパナソニックとimecによる「28nm混載メモリ用途高信頼性ReRAM」（講演番号はT2-2）、信頼性が高く、等価酸化膜厚0.5nmを実現した東京大学の「Geゲートスタック」（講演番号はT2-4）、0.85nmの極薄EOT（等価酸化膜厚）ながら、反転層キャリア密度N_inv＝1×10¹³cm^-2で〜300cm²/Vsと、高い長チャネル移動度を達成したIBMの「SiGe-OI PMOS FinFET」（講演番号はT2-3）などの論文は注目度が高いようだ。