連載 2015年7月30日 次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料（1）〜なぜ非シリコンなのか（要約）：福田昭のデバイス通信（33） [福田昭，EE Times Japan] シリコンMOSFETの材料限界ゲルマニウムとインジウム・ガリウム・ヒ素が有力候補 続きを読む
