パワー半導体市場、2025年に酸化ガリウムがGaNを抜く：次世代パワーデバイスが堅調（1/2 ページ）

富士経済が、2025年における次世代パワー半導体市場の予測を発表した。SiC、GaNはともに堅調に成長する。加えて有望視されているのが酸化ガリウム系パワー半導体だ。特に中高耐圧領域での優位性が際立ち、2025年には、市場規模でGaNパワー半導体を上回るとみられる。

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

次世代の中でも成長が著しいSiC

　富士経済は2017年3月21日、次世代パワー半導体の市場予測を発表した。それによると、2025年、SiCパワー半導体の世界市場は1410億円と、2016年比で6.9倍、GaNパワー半導体は450億円と、2016年比で32.1倍に成長するという。

　SiC-SBD（ショットキー・バリア・ダイオード）は、2016年に参入企業が増え、製品ラインアップが増加したことにより、同年の市場規模は170億円となった。富士経済は、今後も堅調に拡大していくと予想する。SiC-FETは市場が立ち上がったばかりだが、DC-DCコンバーターやインバーター、太陽光発電システムのパワーコンディショナーといった分野で採用が進み、2016年の市場は35億円となっている。

SiCパワー半導体と主要用途分野の世界市場

		2016年の市場規模	2025年予測	2016年比
SiCパワー半導体（全体）		205億円	1410億円	6.9倍
	情報通信機器	68億円	287億円	4.2倍
	新エネルギー	57億円	390億円	6.8倍
	自動車・電装	38億円	291億円	7.7倍
出典：富士経済

　SiCは2016年の時点では、サーバ用電源、UPS（無停電電源装置）、ストレージなどのPFC回路といった情報通信機器分野での需要が大きい。次が、太陽光発電システムのパワーコンディショナーなど新エネルギー分野での用途だ。今後、SiCの採用がとりわけ進むとみられているのが、自動車および電装分野である。急速充電スタンドやオンボードチャージャー（車載充電器）での需要が大きい。SiCを採用した駆動用インバーターは実証が進んでいて、2020年以降に、実車への搭載が活発になると富士経済は予測する。

　さらに、富士経済は、6インチSiCウエハーの製造が本格的に始まっていることから生産効率が上がり、低価格化が進むとみている。これに加え、SiCパワー半導体の量産に向けた設備投資が2017〜2018年にかけて進むので、SiCパワー半導体向け製造装置の市場も拡大する見込みだ。

より高耐圧のラインアップ拡充が進むGaN

　GaNパワー半導体市場は、SiCに比べると規模はまだ小さい。200Vなど低耐圧の領域を中心に市場が立ち上がったが、600Vクラスの中耐圧領域の製品化が本格化したことで、適用分野が拡大し、2016年の市場規模は14億円となった。富士経済によると、今後は、より高い耐圧を備えた製品ラインアップの開発や拡充が進み、市場の活性化が期待されるという。

GaNパワー半導体と主要用途分野の世界市場

		2016年の市場規模	2025年予測	2016年比
GaNパワー半導体（全体）		14億円	450億円	32.1倍
	情報通信機器	10億円	100億円	10.0倍
	新エネルギー	3億円	130億円	43.3倍
	民生機器	2億円	70億円	35.0倍
出典：富士経済

　用途分野別では、SiCと同様、情報通信機器と新エネルギーでの需要が大きい。民生機器ではオーディオのパワーアンプなどで需要を獲得している。今後はPC、TVなどのACアダプター、エアコンなど白物家電のモーター駆動用電源回路部、LED駆動回路、ワイヤレス給電などでの採用が期待されるという（関連記事：“オールGaN”のパワーICでアダプターが1/2に小型化）。