連載 2017年11月2日 まとめ：新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム（関連情報）：福田昭のストレージ通信（86） 反強誘電体が起爆するDRAM革命（7） [福田昭，EE Times Japan] 記事を見る 記事を見る
