化合物半導体基板市場、年平均17％成長で29年に33億ドル規模へ：パワー製品は25億ドル規模に（1/2 ページ）

市場調査会社のYole Groupによると、化合物半導体の基板市場は2023年から2029年までの間、年平均17％の成長が期待されている。2029年には33億米ドル規模の市場に成長する見込みだという。

[浅井涼，EE Times Japan]

　フランスの市場調査会社Yole Group（以下、Yole）は2024年1月、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）、GaAs（ガリウムヒ素）およびInP（インジウムリン）などの化合物半導体の基板市場が、2023年から2029年までの間、年平均成長率（CAGR）17％で成長し、2029年には33億米ドル規模に成長する見込みだと発表した。同月発行した、化合物半導体市場に関する年次報告書の中で予測している。

化合物半導体基板市場の成長予測［クリックで拡大］ 出所：Yole Group

　用途別に見ると、2029年に市場で最も大きな割合を占めると予想されるのはパワー向けで、2029年までのCAGRは21％と大きく成長し、25億1900万米ドル規模となる見込みだ。続くRF向けは同6％で3億9100万米ドル、ディスプレイおよびLED向けは同7.9％で1億9200万米ドル、フォトニクス向けは同12.6％で1億8300万米ドルとそれぞれ堅調に成長を続けることを予想している。

化合物半導体基板市場の用途ごとの成長予測［クリックで拡大］ 出所：Yole Group

　現状を材料別に見ると、SiCは自動車市場の、特に800VのEV（電気自動車）システム向けで優位にある。GaNパワーデバイスは民生機器市場と自動車市場にも進出しているほか、Yoleのアナリストによると、特にスマートフォンのOVP（過電圧保護回路：Over Voltage Protection）向けでは10億ユニット規模の機会拡大が見込まれるという。また、RF GaNデバイスは防衛、電気通信、宇宙産業分野で存在感を示していて、ハイパワー用途に照準を合わせている。一方で、RF GaAsデバイスは5Gや車載コネクティビティ向けの開発が進んでいる。フォトニクス領域ではInPとGaAsが市場を主導している状態だ。