「3D NANDの進化」に必要な要素とは：DRAMとの“距離”はまだ遠く（1/4 ページ）

新興の不揮発性メモリと並行して、3D NAND型フラッシュメモリの開発も続いている。DRAMやSCM（ストレージクラスメモリ）との性能のギャップを少しでも埋めるためにどのような技術開発が進んでいるのだろうか。

[Gary Hilson，EE Times]

　この記事は、2024年2月16日発行の「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版2月号」に掲載している記事を転載したものです。

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　Intelの不揮発メモリ「Optane」（Micron Technologyと共同開発した「3D XPoint」を製品化したもの）の生産が2022年9月に終了した後も、新興メモリは次々と登場しているが、3D（3次元） NANDフラッシュメモリとDRAMの間のギャップは依然として残っている。オープンな業界標準インターコネクト規格「Compute Express Link（CXL）」で実現される新しいアーキテクチャによって、このギャップを埋める必要性がなくなる可能性はあるが、NANDフラッシュを最適化してギャップを小さくすることはできるだろうか。