「超垂直な」メモリホールを高速加工 1000層NANDの実現に向け：Lam Researchの第3世代「Cryo」（2/2 ページ）

Lam Researchは、1000層を超える3D（3次元） NANDフラッシュメモリの加工に向け、極低温絶縁膜エッチング技術の最新世代「Cryo 3.0」を発表した。100：1という高いアスペクト比のメモリホールを、極めて垂直に高速で加工できるという。

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

ΔCDは9nm　垂直な穴を高速に加工

　新たにリリースしたCryo 3.0では、最大10μmの深さで加工できることに加え、エッチング速度は常温プロセスに比べて2.5倍になる。メモリホール最上部のCDが108nm、最下部のCDは99nmで、両者の差（ΔCD）は9nmと極めて小さいことも特徴だ。常温プロセス適用時では、ΔCDは30nm程度だという。つまり、アスペクト比が高い穴を“真っすぐに”加工できるということだ。「Cryo 3.0ではアスペクト比100：1の穴を、極めて垂直かつ高速に加工できるようになる」（西澤氏）

左＝「Cryo 3.0」の主な特徴／右＝Cryoで加工した場合のProfile deviation（ΔCDをメモリホール深さで割った値）の比較。Cryo 3.0は従来世代に比べて、垂直に加工できるようになっている［クリックで拡大］ 出所：Lam Research

　さらに、Cryo 3.0では新しい成分のエッチングガスを採用したことで、従来の常温エッチングプロセスと比較してウエハー1枚当たりの電力消費量を40％削減し、CO₂排出量も最大90％削減するという。

　Cryo 3.0に対応するチャンバーとして「Vantex Cシリーズ」をリリース済みだ。Cryo 1.0に対応する「Flex Hシリーズ」やCryo 2.0に対応する「Vantex Bシリーズ」など既存のチャンバーにもCryo 3.0を適用できる。

　現在、Cryo 3.0は量産に向けた技術評価を行っている段階だ。「ビットコストを下げる手段には複数存在するが、高アスペクト比の穴をいかに垂直に加工できるかという点は、ビットコスト低減において最も象徴的な技術の一つではないか」（西澤氏）