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Navitasが「世界で初めて」量産化した650V 双方向GaN IC「パワエレの革命だ」(1/2 ページ)

Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、「世界で初めて」(同社)量産化した650V 双方向GaN ICなどを紹介した。説明担当者は「高効率化やコスト削減、設計の大幅なコンパクト化を実現する。これはパワーエレクトロニクスにおける革命だ」と語っていた。

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 Navitas Semiconductor(以下、Navitas)は世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」(2025年5月6〜8日/ドイツ・ニュルンベルク)において、「世界で初めて」(同社)量産開始した650V 双方向GaN ICおよびガルバニック絶縁高速ドライバなど、同社の最新パワーデバイス技術を紹介した。

 双方向GaN ICは2段構成の電圧変換アーキテクチャを1段に変更できるもので、説明担当者は「高効率化やコスト削減、設計の大幅なコンパクト化を実現する。これはパワーエレクトロニクスにおける革命だ」と語っていた。

双方向GaN IC(右)と双方向GaN IC駆動用に最適化したガルバニック絶縁高速ドライバ(左)[クリックで拡大] 出所:Navitas Semiconductor

4個のスイッチを1個に削減

 Navitasが展示していたのは2025年3月、「世界で初めて」(同社)量産を開始したと発表した650V 双方向GaNパワーICおよび、同ICを効率的に動作させるための高速絶縁ゲートドライバ「IsoFast」だ。

 双方向GaN ICは、従来4つのディスクリートMOSFETが必要だった双方向の電圧/電流制御を単一のデバイスで実現する。コンポーネント削減の他、50%以上のフットプリント削減および、GaNの特性による高速、高効率化が実現できる。

従来、4つのディスクリートMOSFETが必要となっていた双方向の電圧/電流制御を単一のデバイスで実現する
従来、4つのディスクリートMOSFETが必要だった双方向の電圧/電流制御を単一のデバイスで実現する[クリックで拡大] 出所:Navitas Semiconductor

 Navitasによると、現在の高電圧パワーコンバーターの70%以上は2段構成を採用する。典型的なAC-DC EV(電気自動車)オンボードチャージャーは、最初の力率改善(PFC)段と後続のDC-DC段を実装し、大型のDCリンクコンデンサーも備えている。こうした構成の結果、システムは大型で損失も多く、コストも高くなるという課題があった。Navitasは、双方向GaN ICを用いることで、このPFC段やDCリンクコンデンサーが不要になり、単一のAC-DCコンバーターに変更できるとしている。

2段構の高電圧パワーコンバーターを1段で
2段構の高電圧パワーコンバーターを1段で[クリックで拡大] 出所:Navitas Semiconductor

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