次世代パワー半導体 「期待の5材料」の現在地：EE Exclusive（2/3 ページ）

AIデータセンターや電動車（xEV）の普及によって電力需要が増大する中、電力変換効率を左右するパワー半導体の重要性が高まっている。炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）は既に実用化され市場を拡大している一方、ダイヤモンドや酸化ガリウム、二酸化ゲルマニウムといった「次々世代」材料の研究も進む。次世代パワー半導体として期待される5つの材料の現状と課題を整理する。

[浅井涼，EE Times Japan]

高周波用途で普及が進むGaN

　GaNパワー半導体も利用が進んでいる。GaNはSiと比べてバンドギャップが約3倍、絶縁破壊電界強度が約10倍だ。電子移動度もSiを上回る。このことから、通信インフラ、PCやスマホ向けの急速充電器などの高周波動作や小型化が重要なアプリケーションに強みを持つ。

「設計が難しい」　開発者の課題に応える各社