「世界初」成果で1000層超3Dフラッシュに道筋、キオクシアとSandisk：VLSI 2026で共同発表へ

キオクシアとSandiskが、ウエハー間Cu直接接合によるマルチ積層セルアレイCMOS（MSA-CBA）構造で、「世界初」（両社）のクアッドレベルセル（QLC）動作の実証に成功した。両社はこの成果を1000層以上の超高密度3Dフラッシュメモリ実現に向けた重要な技術的マイルストーンと位置付ける。

[永山準，EE Times Japan]

　キオクシアとSandiskが、ウエハー間Cu直接接合によるマルチ積層セルアレイCMOS（MSA-CBA）構造で、「世界初」（両社）のクアッドレベルセル（QLC）動作の実証に成功した。両社はこの成果を1000層以上の超高密度3Dフラッシュメモリ実現に向けた重要な技術的マイルストーンと位置付けていて、2026年6月開催のLSIに関する国際学会「VLSIシンポジウム 2026」（開催地：米国ハワイ州）で共同発表する。

3Dフラッシュ高積層化の「主要課題を克服」

　VLSIシンポジウム 2026は2026年6月14〜18日の日程で開催される。キオクシアとSandiskは今回、「A Multi-Stacked Cell Array Architecture with Wafer-to-Wafer Cu Direct Bonding for Ultra-High-Density 3D Flash Memory beyond 1000 Word Lines／1000ワード線を超える超高密度3Dフラッシュメモリ向けウエハー間Cu直接接合によるマルチ積層セルアレイアーキテクチャ」としてこの成果について共同発表する。

　両社は今回の成果によって、3Dフラッシュメモリの高積層化における主要な課題であるセル電流の劣化、ウエハーの反りおよび大ブロック（BLK）サイズを克服すると説明。「これらの結果は、1000層以上の積層構造を持つ超高密度3Dフラッシュメモリに向けた重要なマイルストーンになる」としている。

　事前に公開された技術ハイライトでは、順次積層および接合を示すMSA-CBAデバイス構造の概念図や、各218WLを持つ2枚のアレイウエハーの積層セルアレイのFIB-SEM画像およびそれによって大規模積層の有効性を実証したこと、さらに個々の第1、第2セルアレイおよびMSA-CBAのVth（しきい値電圧）分布特性などを示す図版も紹介されている。

キオクシアとSandiskの技術ハイライト［クリックで拡大］ 出所：VLSIシンポジウム委員会

　VLSIシンポジウム 2026ではまた、SAIMEMORY、Intelらによる「高帯域3Dメモリ向けマルチウエハー（9層）、極薄（スタック当たり3μm-Si）および革新的フュージョンボンドVia-in-oneアーキテクチャ」なども発表される。

SAIMEMORYらの技術ハイライト［クリックで拡大］ 出所：VLSIシンポジウム委員会