ニュース 2026年6月1日 トレンチゲート型SiC MOSFETで低損失と短絡耐量を両立、東芝D＆S（関連情報）：従来に比べオン抵抗を約25％低減 [馬本隆綱，EE Times Japan] 記事を見る 記事を見る
