FLOSFIAが6インチ基板で酸化ガリウムエピ成膜 8インチも視野：既存製造ライン活用に道筋（1/2 ページ）

FLOSFIAが、6インチサファイア基板上への酸化ガリウム（α-Ga2O3）のエピタキシャル成膜に成功した。膜厚の面内ばらつきは約±3％で、初期実用化に向けた目標の±4％以下を達成した。2026年中に8インチサファイア基板上での成膜実証を進める計画だ。

[永山準，EE Times Japan]

　FLOSFIAは2026年10月13日、6インチサファイア基板上に酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）のエピタキシャル膜を形成することに成功したと発表した。膜厚の面内ばらつきは約±3％で、初期実用化に向けた目標の±4％以下を達成した。同社は「6インチは炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の量産で主流の口径であり、パートナーは既存の6インチ量産ラインを活用して、酸化ガリウムパワー半導体の量産を早期に立ち上げられる」としている。

6インチサファイア基板上に成膜したα-Ga₂O₃エピタキシャルウエハー（左）と4インチウエハー（右）［クリックで拡大］出所：FLOSFIA

独自成膜技術を改良、膜厚の面内ばらつきは約±3％

　酸化ガリウムは、SiCや窒化ガリウム（GaN）よりもバンドギャップエネルギーが大きいなどの特長を持ち、低損失化や高耐圧化、小型化が期待される次世代パワー半導体材料として注目されている。FLOSFIAは、酸化ガリウムの結晶構造の1つであるα型を用いたパワーデバイスの開発を進めている。同社は2025年12月にも、4インチウエハーでの製造技術の実証完了および、ショットキーバリアダイオード（SBD）信頼性課題の克服について発表していた。

　FLOSFIAは今回、独自の成膜技術「ミストドライ法」を改良し、6インチサファイア基板上にα-Ga₂O₃のエピタキシャル膜を形成した。同技術は低温／常圧での成膜が可能で、安価なサファイア基板を利用できることが特徴だ。

　今回得られたエピタキシャル膜は、膜厚の面内ばらつきが約±3％と、同社が初期実用化の目標としていた±4％以下を達成した。クラックはなく、異物欠陥も少ないという。

　同社はまた、3インチ、4インチ、6インチのウエハーについて、膜厚の面内ばらつきを比較。その結果、ウエハー口径の拡大に伴ってばらつきは増加するものの、その増え方は緩やかになる傾向を確認したという。この実測結果から得られた近似曲線を基に、同社は、8インチウエハーでも膜厚の面内ばらつきを±4％以下に抑えられると予測している。8インチサファイア基板上での成膜については2026年中に実証する計画だ。

ウエハー面積と膜厚の面内ばらつきの関係。3〜6インチは実測値、8インチは近似曲線からの予測値だ［クリックで拡大］出所：FLOSFIA