ニュース 2011年2月7日 「GaNの耐電力が10倍に」、降伏電圧を大幅に高める技術を米大が開発（関連情報）：パワー半導体 GaNデバイス [R. Colin Johnson：EE Times （翻訳 大山博、編集 EE Times Japan），ITmedia] 記事を見る 記事を見る
