GaNパワー半導体市場、2012年は1000万ドル規模に：ビジネスニュース 市場動向

GaNやSiCを用いた次世代のパワー半導体の市場は、今後4〜5年間で大きく成長すると予測されている。市場調査会社によれば、2016年には5億米ドル規模に達する見込みだという。

[Peter Clarke，EE Times]

　フランスの市場調査会社であるYole Developpementによると、GaN（窒化ガリウム）を用いたパワー半導体チップの2011年における市場規模は、250万米ドルを下回ったという。しかし同社によると、GaNパワー半導体市場では現在、数多くの研究開発が進められていることから、2012年には1000万米ドル規模に、さらに2016年には5億米ドル規模に成長する見込みだという。

　2012年のGaNパワー半導体市場は当面、International RectifierとEfficient Power Conversionの2社が主要メーカーとしての地位を維持するとみられる。2012年における同市場の規模は、1000万米ドルを下回る程度となる見込みだ。

　多くのGaNパワー半導体チップメーカーにとって、2013年は評価段階から量産へと進む移行期間となり、その市場規模は5000万米ドルに達する見込みだ。さらに2015年には、耐圧600VのGaNパワー半導体が普及することで、新しい市場が開かれることになりそうだ。このころには、12〜15社のメーカー全体で、6インチ相当のウエハー消費量が10万枚を超えると予想されている。

　Yole Developpementでパワーエレクロトニクス事業部門担当マネジャーを務めるPhilippe Roussel氏によると、2015年より先には、電気自動車市場においてGaNの評価が高まることにより、GaNパワー半導体チップの市場が年間10億米ドル規模に届くようになる可能性があるという。ただし、自動車メーカー各社がシリコン、SiC（炭化ケイ素）、GaN技術のどれを選ぶのか、またその時期によって、市場規模は大きく左右されることになる（関連記事：SiC/GaNデバイスは離陸間近）。

　この他にも、現在、さまざまな種類の基板材料の評価が進められている。例えば、サファイア基板/GaN（GaN-on-Sapphire）、SiC基板/GaN（GaN-on-SiC）、GaN基板/GaN（GaN-on-GaN）、AlN（窒化アルミニウム）基板/GaN（GaN-on-AlN）、シリコン基板/GaN（GaN-on-silicon）などがある。厚さ7μmのGaNエピタキシャル層を形成した6インチ（150mm）ウエハーが既に実用化されていることから、Yole Developpementは、GaN-on-siliconが優位性を確保するとみている。同様に8インチ（200mm）ウエハーの評価も現在進んでおり、今後実用化された場合、低コストの経済的な技術として選択されていくだろう。

　またYole Developpementによると、既にGaN材料を利用しているLEDメーカーの一部は、自社の製造能力の活用方法を多様化していく上で、GaNパワー半導体を手掛けることを検討しているという。

【翻訳：田中留美、編集：EE Times Japan】