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SiCには勝てる！ 欧米も注目する“第3の次世代パワーデバイス”の国内開発プロジェクトが今春スタート：パワー半導体 酸化ガリウム（2/2 ページ）
情報通信研究機構（NICT）は、2014年4月をメドに次世代パワーデバイス材料の1つである酸化ガリウムを使ったデバイスの実用化を目指した本格的な開発プロジェクトを発足させる。国内電機メーカーや材料メーカー、半導体製造装置メーカー、大学などと連携して2020年までに酸化ガリウムパワー半導体デバイスの実用化を目指す。
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情報通信研究機構などは、次世代パワー半導体材料の1つである酸化ガリウムを用いたMOSFETを開発したと発表した。酸化ガリウムは、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）よりも、パワー半導体に向く材料物性を備えるという。
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酸化ガリウムは、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）といった現在注目を集めるパワー半導体に比べ、バンドギャップが広いという特徴がある。酸化ガリウムを使った研究開発は始まったばかりだが、将来のパワー半導体材料としてさまざまな特徴がある。