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NANDフラッシュの基本動作（後編）：福田昭のストレージ通信（10）（2/2 ページ）
前編に引き続き、NANDフラッシュメモリの中身を解説する。今回は、NANDフラッシュメモリに特徴的なMLC（Multi-Level Cell）方式、TLC（Triple-Level Cell）方式といった多値記憶技術の他、書き換え回数やデータ保持期間などを説明する。
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