トランスフォームがGaN評価ボードを一挙に展示、10月から日本で量産も：TECHNO-FRONTIER 2014（1/2 ページ）
トランスフォーム・ジャパンは「TECHNO-FRONTIER 2014」（テクノフロンティア 2014）で、窒化ガリウム（GaN） HEMTを搭載した一体型PC向け電源、単相インバータなどの評価ボードを展示した。
トランスフォーム・ジャパンは「TECHNO-FRONTIER 2014」（テクノフロンティア/2014年7月23〜25日、東京ビッグサイト）において、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスを搭載した評価ボードを展示した。
トランスフォーム・ジャパンは、GaNパワーデバイスを手掛けるTransphormの日本法人で2014年2月1日に設立された。トランスフォーム・ジャパンとしてTECHNO-FRONTIERに出展するのは今回が初めてとなる。なお、Transphormは2013年11月に、富士通および富士通セミコンダクターとGaNパワーデバイス事業部門を統合すると発表している（関連記事：富士通、GaNパワーデバイス事業をTransphormと統合）。
今回展示した評価ボードは、GaN HEMTを搭載した一体型PC向け高密度電源、出力1kWの単相インバータ、ブリッジレスのPFCなど。トランスフォーム・ジャパンの担当者は「GaNパワーデバイスは新しい素子なので、シリコン（Si）パワーデバイスに比べて使いにくいと感じるエンジニアも多い。当社は、開発工数を減らせるような、すぐに使える評価ボードを各種取りそろえている」と話す。
ブースでは、一体型PC向け高密度電源のデモを行っていた。同評価ボードには、PFCとLLCのブリッジ部分に合計3個のGaN HEMTが搭載されている。スイッチング周波数は200kHz。SiのMOSFETを搭載した場合に比べて基板面積を約45％縮小できる。デモでは94％の効率を実現していた。
単相インバータは、家庭用パワーコンディショナ（パワコン）への引き合いが最も強い評価ボードだという。GaN HEMTを4個搭載していて、スイッチング周波数100kHzでDC入力からAC100〜240Vの正弦波を出力する。なお、安川電機は、Transphormと共同開発したGaN HEMTを搭載した太陽光発電システム用パワコンを、「TECHNO-FRONTIER 2013」で参考展示している（関連記事：安川電機がGaNデバイス搭載パワコンを2014年に発売、変換効率は98.2％）。
ブリッジレスのPFCには、最大99％という高い効率を達成し、「さまざまな顧客から好評を得ている」（同社）とする。
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