GaN HEMT搭載のPFC評価ボードを展示――トランスフォーム：CEATEC 2014

[馬本隆綱，EE Times Japan]

　トランスフォーム・ジャパンは、「CEATEC JAPAN 2014（CEATEC 2014）」において、耐圧600VのGaN（窒化ガリウム） HEMT（高電子移動度トランジスタ）と、GaN HEMT搭載の各種PFC評価ボードなどを展示した。耐圧600VのGaN HEMTは現在、評価用のサンプル品を提供中で、2015年春より量産出荷を始める予定である。

　トランスフォーム・ジャパンは、GaNパワー半導体を手掛けるTransphormの日本法人で、2014年2月に設立された。日本法人設立に先行して、2013年11月には富士通および子会社の富士通セミコンダクターが、GaNパワー半導体事業に関して、Transphormとの事業統合を行った。

　同社が提供しているGaN HEMTのサンプル品は、耐圧600Vで、オン抵抗が290mΩの「TPH3002」、150mΩの「TPH3006」、63mΩの「TPH3205WS」などがある。パッケージはTO-220、PQFN、およびTO-247（TPH3205WS品）を用意している。「2015年春の量産開始に向けて、2014年末までにはチップの信頼性チェックを終えたい」（説明員）と話す。

サンプル出荷中のGaN HEMT製品

　GaN HEMTの用途拡大に向けて、同社が注力しているのが各種評価ボードの提供だ。今回は、PFCコントローラICとGaN HEMTを搭載した133kHz駆動のPFC評価ボード（出力は500W〜1kW）や、750kHz駆動のPFC評価ボード（出力は300W）などを紹介した。いずれも、200kHz駆動に変更して、異なる電源モジュールとの特性比較や製品評価を行うこともできる。

PFCコントローラICとGaN HEMTを搭載した133kHz駆動のPFC評価ボード（出力は500W〜1kW）と、750kHz駆動のPFC評価ボード（出力は300W）

　この他にも、最大99％の効率を実現する、出力1kWのブリッジレスPFC評価ボードや、PFCとLLCのブリッジ部に合計3個のGaN HEMTを搭載したPC向け一体型電源評価ボードなども用意している。このPC向け評価ボードは、スイッチング周波数が200kHzで、従来のシリコンMOSFET搭載品に比べて2〜3倍の高速駆動とした。形状は45％も削減でき、ピーク効率は95.4％を達成しているという。「効率が高いため放熱も少なく、実装部品の小型化が可能で、電源回路のサイズを小さくすることができる」（説明員）という。

　ブースには、安川電機製のパワーコンディショナ―も展示した。両社で共同開発したGaN HEMTを搭載した製品である。GaN HEMTを搭載したことで変換効率を98％に高め、容積も10リットルと従来の6割程度に小型化できたという。

CEATEC JAPAN 2014（CEATEC 2014）

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