IBMが7nm試作チップを発表、Intelに迫る勢い：EUVとSiGeチャネルで（3/3 ページ）

IBM Researchが、EUV（極端紫外線）リソグラフィとSiGe（シリコンゲルマニウム）チャネルを使用した7nmプロセス試作チップを発表した。IBM Researchはここ最近、最先端プロセスの研究開発成果の発表に力を入れていて、7nmプロセスの技術開発に自信を示してきたIntelに迫る勢いを見せている。

[R Colin Johnson，EE Times]

量産までには長い道のり

　Khare氏は、「EUVは非常に難しい技術で、7nmプロセスでの製造を成功させるには、多くの材料の変更や最適化が必要だった。だが、IBMには半導体技術で画期的な成果を上げてきた実績がある。例えば、シングルセルDRAMや化学増幅フォトレジスト、銅インターコネクト、SOI（シリコン・オン・インシュレータ）、歪みエンジニアリング、マルチコアプロセッサ、液浸リソグラフィ、high-k（高誘電率ゲート絶縁膜）、組み込みDRAM、3次元チップ積層などだ。当社は2014年に、今後5年間で30億米ドルの投資を行うと発表したが、今回の7nm試作チップは、進化の幕開けにすぎないだろう」と述べている。

IBMが開発した7nm FinFET（試作チップ）のTEM画像 出典：IBM Research

　Endpoint Technologies AssociatesのプレジデントであるRoger Kay氏は、EE Timesに対し、「7nm試作チップは素晴らしい成果だ。ただ、量産までには長い道のりが待っているだろう」と述べている。「Intelは7nmプロセスの開発について強い自信を示してきたが、ここ最近はおとなしく、7nmプロセスではIBMの方が先行しているようにも見える。IBMは、各メーカーが苦戦しているEUV技術を（今回の試作チップに）使用し、SiGeチャネルを採用したことも、注目に値する発表だ。IBMの計画が予定通りに進めば、2016年には10nmチップのサンプルが登場するだろう。Intelの10nmチップのサンプルも同じころに出てくると思われる」（同氏）。

【翻訳：滝本麻貴、編集：EE Times Japan】