0.03μm2のSRAMから最先端のIII-V族FinFETまで：「VLSI技術シンポジウム 2016」プレビュー（2/5 ページ）

米国ハワイで2016年6月13〜16日に開催される「VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits（以下、VLSIシンポジウム）」は、最先端の半導体デバイス／回路技術が一堂に会する国際会議だ。VLSIシンポジウムを実行するVLSIシンポジウム委員会は4月20日、都内で記者説明会を開催し、同イベントの概要と注目論文を紹介した。

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

技術シンポジウムの注目論文

　85件の採択論文のうち、最も多いのはプロセス技術で27件。次にメモリ（23件）、先端CMOS技術（14件）、CMOS移行／新技術（8件）と続く。記者説明会では、VLSI技術シンポジウム プログラム委員長の昌原明植氏が、注目すべき論文を幾つか紹介した。

10nm以降のプロセス技術

　まずはSamsung Electronicsが発表する、10nmプロセスを用いたシリコンFinFETだ。14nm世代のFinFETに比べ、27％のスピード向上と、40％の消費電力削減を、複数の閾値電圧において実現したという。セルサイズは0.04μm²で、これを128MビットのSRAMで動作実証している。さらに、電源電圧を0.75Vまで下げてもスタティックノイズマージンが190mVと、高い動作安定性を実現していることが特長だという。

Samsung Electronicsが発表する、10nmシリコンFinFET技術（クリックで拡大） 出典：VLSIシンポジウム委員会

　IBMとGLOBALFOUNDRIESは、SiGe（シリコンゲルマニウム）をチャネルに用いた、10nm世代以降に使用できるFinFET技術を発表する。Geを20％含有するSiGeチャネルのp型FET（絶縁膜の厚みは1.2〜1.3nm）で、正孔移動度が35％向上し、実効電流が17％上昇したとする。昌原氏は、「SiGeを使うと欠陥が多くなるが、そこを制御して高い信頼性を確保したことがポイントだ」と説明した。

SiGeチャネルを用いたFinFET（クリックで拡大） 出典：VLSIシンポジウム委員会

　TSMCは、セルサイズが0.03μm²で32MビットのSRAM（6トランジスタ型）を、10nm世代のバルクCMOS FinFETで実現した。0.45Vの電源電圧で約90mVのスタティックノイズマージンを実現したという。

セルサイズが0.03μm²で32MビットのSRAM（クリックで拡大） 出典：VLSIシンポジウム委員会