8インチ基板でGaNデバイスのコスト競争力を強化：フランスのGaN専業メーカー（2/2 ページ）

パワーエレクトロニクスの最新技術が一堂に会する「PCIM Europe 2016」（2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク）で、フランスのGaNパワーデバイスメーカーExaganが、8インチ（200mm）のGaN on Siウエハーや、耐圧650VのGaN FETなどを展示した。

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

ノーマリーオフの形で提供

　Exaganがターゲットとするのは、太陽光発電システム、ITエレクトロニクス（ノートPCやサーバなどの電源）、車載分野である。車載では特に電気自動車／ハイブリッド車に注力する。Dupont氏によれば、これらの用途を踏まえ、650V品では10kHz〜10MHzのスイッチング周波数をそろえるという。

　Exaganは、基本的にはGaNパワーデバイスをノーマリーオフの形で提供する。「GaN FETとSi MOSFETをカスコードしたものと、GaN FET自体をノーマリーオフ化したものの2つのアプローチをとる」とDupont氏は説明する。

提携関係で、全工程をコントロール

　Exaganはファブライトのメーカーだ。複数の企業とパートナーシップを結んで製品を製造している。ドイツのX-FABに製造を委託し、組み立て／パッケージングはアジアの企業と、テスト／検査についてはフランスHIREX Engineering^＊）と提携している。「もちろんExaganが、材料から最終製品（GaNパワーデバイス）が製造されるまで、全ての工程を管理している」（Dupont氏）。

＊）HIREX Engineeringは、検査・認証機関であるTÜV Nordで航空およびエレクトロニクス分野を担当するAlter Technology Groupのグループ会社である。

　Dupont氏によると、SoitecとCEA-Letiは、GaNパワーデバイスの製品化に注力すべくExaganをスピンアウトしたという。SoitecとCEA-Letiは2012年に、耐圧650V／1200VのGaNパワーデバイスを開発すべく提携した。「GaNという材料の研究にとどまらず、デバイスという形にしてビジネスを行うべく、Exaganを設立してGaNパワーデバイスの技術を移管した」（Dupont氏）。

【取材協力：Mesago PCIM】