無電解銅メッキで「L／S＝2／2μm」が可能に：ウェットプロセスの限界を突破！

奥野製薬工業は、「JPCA Show 2016」において、2／2μmのL／S（ラインアンドスペース）で微細な回路形成を可能とする技術「トップUFP（ウルトラファインパターン）プロセス」をパネルで紹介した。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

ウェットプロセスでは「5μm／5μmが限界」といわれてきたが

　奥野製薬工業は、「JPCA Show 2016」（2016年6月1〜3日、東京ビッグサイト）で、L／S（ラインアンドスペース）が2μm／2μmの微細な回路形成を可能とする技術「トップUFP（ウルトラファインパターン）プロセス」をパネル展示した。

　ウェットプロセスによるメッキ法だと、これまでは5μm／5μmのL／Sが限界といわれてきた。このため、それより微細な回路パターンを形成するには、ドライプロセスを用いるしかなかった。しかし、ドライプロセスだと装置コストが高くなる。その上、有機基板などへの適用が難しかった。

　こうした中で同社は、2μm／2μmのL／Sを可能とする薬液や微細回路形成技術／プロセスを開発した。ナノ銀粒子を触媒に用いる無電解銅メッキ液は、触媒残渣（スミア）除去性に優れており、スミアが要因で生じる導通不良や密着力不足などの課題を解決した。パターン外析出も極めて少ないという。また、ナノ銀触媒用のフラッシュエッチング液も新たに開発した。アンダーカットのないエッチングが可能となる。

L／Sが2μm／2μmの微細回路形成を可能とする技術「トップUFPプロセス」をパネルで紹介

無電解Pd／Auメッキプロセスも

　無電解Pd（パラジウム）／Au（金）メッキプロセス「トップパラスプロセス」も用意している。配線基板やICパッケージなどに設けられた接続端子を最終的に表面処理する技術である。微細配線に対応しており、はんだやワイヤボンディングの接合信頼性を向上させることができる。被覆性や耐食性、耐熱性にも優れているという。