SanDiskが語る、半導体不揮発性メモリの開発史：福田昭のストレージ通信（42） 抵抗変化メモリの開発動向（1）（2/2 ページ）

今回からは、国際学会で語られたSanDiskの抵抗変化メモリ（ReRAM）の研究開発動向について紹介していく。まずは、約60年に及ぶ「不揮発性メモリの歴史」を振り返る。

[福田昭，EE Times Japan]

フラッシュメモリの登場

　この状況を打破したのが、東芝（当時）の舛岡富士雄氏である。EPROMと同じ1個のトランジスタで、電気的に書き換えが可能な不揮発性メモリ、フラッシュメモリを1984年に発明したのだ。舛岡氏は続いて改良版のフラッシュメモリ、「NANDフラッシュメモリ」を1987年に発明する。NANDフラッシュメモリは、メモリセルを構成するトランジスタは約2分の1個で、EPROMよりも原理的には製造コストが下がるという、革新的な構造を有していた。

半導体不揮発性メモリの開発史 出典：SanDisk

　NANDフラッシュメモリの「低コスト」という特長は破壊的な創造をもたらした。開発工程でUV-EPROMの代わりに使われるようになっただけでなく、フロッピーディスクを置き換え始めた。1994年にはSanDiskがNANDフラッシュメモリのメモリモジュール「CF（Compact Flash）」を開発する。1997年にはMMC（Multi Media Card）、2001年にはUSBメモリが登場した。

　SSD（Solid State Drive）はどうなったのか。フラッシュメモリが登場する以前は、SSDとはほぼ、DRAMベースのドライブ（RAMディスク）と同義だった。このため、1991年にSanDiskがフラッシュメモリベースのSSDを初めて出荷したときには、「Flash-based SSD」と呼称していた。2003年にはフラッシュメモリベースのSSDの記憶容量は1TB（テラバイト）に達した。そしてSSDは、NANDフラッシュメモリをベースとするストレージを指す言葉となった。

（次回に続く）

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