Infineon、フルSiCモジュールを2018年に量産へ：PCIM Europe 2017（1/2 ページ）

Infineon Technologiesは、ドイツ・ニュルンベルクで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2017」（2017年5月16〜18日）で、耐圧1200VのSiC-MOSFETと、それを搭載したフルSiCモジュールの量産について発表した。SiCだけでなくGaNでも新製品を発表している。

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

フルSiCモジュールを量産開始へ

　Infineon Technologiesは2017年5月16日（ドイツ時間）、「PCIM Europe 2017」の開催に合わせて、耐圧1200Vのトレンチ型SiC-MOSFET（以下、1200V SiC-MOSFET）を2017年内に量産すると発表した。さらに、SiC-SBD（ショットキーバリアダイオード）と1200V SiC-MOSFETを使ったフルSiCのモジュール3種類も併せて発表。これらのモジュールの量産開始は2018年を予定している。

　Infineonは2016年のPCIM Europeで、オン抵抗が45mΩの1200V SiC-MOSFETを展示し、2017年に量産を開始すると発表していた（関連記事：インフィニオン初のSiC MOSFETを披露、量産は2017年）。InfineonはSiCパワー半導体を「CoolSiC」ブランドとして提供していて、耐圧1200V／650V／600VのSBDと、同1200VのJEFTの製品ラインアップがある。これに1200V SiC-MOSFETが加わることになる。

　20年以上、SiCパワー半導体を開発してきたInfineonにとって、2017年はSiC製品のラインアップ強化を図る年になりそうだ。

　1200V SiC-MOSFETは、TO-247のパッケージを採用した3端子および4端子のディスクリート品として提供される。フルSiCモジュールは、6パックモジュールの「Easy 1B」、ハーフブリッジ構成の「Easy 2B」、62mmパッケージを採用したハーフブリッジ構成のモジュールがある。Easy 1Bは、インバーター出力が2kWなど小出力の用途に、Easy 2Bや62mmパッケージ品は、50kW以上のような大きな出力が必要な用途に向ける。これらの製品は全て、サンプル入手が可能だ。

Infineon Technologiesが発表したフルSiCモジュール。「Easy 1B」は、ハーフブリッジおよびブースターモジュールとしては2016年に既に発表されていて、今回は新たに6パックモジュールがEasy 1Bのラインアップとして加わった（クリックで拡大） 出典：Infineon Technologies

　Infineonは今後、耐圧1700Vや3300VのSiC-MOSFETの開発を進めていく予定だ。InfineonのIndustrial Power Control部門でDivision Presidentを務めるPeter Wawer氏は、SiC-MOSFETの世界市場シェアについて、「いつまでに、という期限は明確に言えないが、30％のシェア獲得を目指している」と話した。

PCIM Europe 2017で展示したフルSiCモジュール。左が6パックモジュールのEasy 1Bで、中央がEasy 2B（手前）と62mmパッケージ（クリックで拡大）

1200V SiC-MOSFETのディスクリート品（左）。デモでは、SiC-MOSFETを搭載したインバーターが、Si-MOSFETを搭載したインバーターに比べてどれだけ小型、軽量になるかを、てんびんを使って示した（クリックで拡大）