Infineon、フルSiCモジュールを2018年に量産へ：PCIM Europe 2017（2/2 ページ）

Infineon Technologiesは、ドイツ・ニュルンベルクで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2017」（2017年5月16〜18日）で、耐圧1200VのSiC-MOSFETと、それを搭載したフルSiCモジュールの量産について発表した。SiCだけでなくGaNでも新製品を発表している。

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

「GaNは後発でも、市場投入のタイミングは逸していない」

　Infineonが注力する次世代パワー半導体はSiCだけではない。GaNの製品ラインアップも強化している。2015年1月にIR（International Rectifier）を買収したことでGaNデバイスのポートフォリオを手に入れ、2015年3月には、GaNパワーデバイスの開発でパナソニックと協業することを発表した。

　PCIM 2017では、GaNパワーデバイス群のブランド「CoolGaN」として、耐圧600Vのノーマリーオフ型GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）を3種類発表した。オン抵抗は70mΩと190mΩで、出力が3kWまでのデータセンター用サーバやテレコムの用途に向ける。

「CoolGaN」として発表された3製品。今回発表したCoolGaNでは、Infineon独自の品質テスト方法を確立し、それを適用して品質を示すという（クリックで拡大） 出典：Infineon Technologies

　PCIM 2017では、600VのCoolGaNを用いた、2.5kWのトーテムポール型PFC（力率改善）のデモボードを展示した。70mΩの「DSO BSC」を2個と、33mΩのSi-MOSFET（「CoolMOS」ブランドとして展開）を2個用いたもので、99％以上の効率を実現しているという。さらに、同じく600V品を用いたLLC式DC-DCコンバーターのデモボードも展示した。160W/inch³の電力密度を実現している。

Infineon TechnologiesのTim McDonald氏。

　InfineonのGaN Marketing & Applicationのシニアディレクターを務めるTim McDonald氏は、600V品のラインアップを用意したことについて「GaNパワーデバイスにおいて、より高い耐圧へのニーズがあるのは確かだが、まずは（現在のGaNパワーデバイスでは主流の耐圧である）600Vから始める。1200V以上は、SiCパワーデバイスの特性が生きる領域だと考えている。600Vから1200Vの間は、用途によってGaNとSiCが混在するのではないか」と述べた。

　今回の600V品はデータセンター用サーバとテレコム向けだが、今後は、「AC-DCアダプターやモバイル向けアダプターを狙う可能性もある」（McDonald氏）

トーテムポール型PFCのデモボード（左）と、LLC式DC-DCコンバーターのデモボード（クリックで拡大）

　富士経済によれば、2016年のGaNパワーデバイス市場は14億円で、SiCパワーデバイスの205億円に比べると10分の1以下である。McDonald氏は「GaNパワーデバイスの市場はまだ小さいが、成長が加速していると感じる。Infineonは後発だが、GaNパワーデバイスを本格的に市場に投入するタイミングは逃していない。むしろ、今が絶好のチャンスだと考えている」と語った。

（取材協力：Mesago PCIM）