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IMECの半導体ロードマップ展望：14オングストロームプロセス!?（3/3 ページ）
IMECのプロセス技術関連のベテラン専門家であるAn Steegen氏が、2017年の半導体ロードマップを発表し、半導体プロセスの微細化に対し楽観的な見方を示した。
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「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術（imec編）
imecは次世代のリソグラフィ技術を展望するフォーラムの講演で、半導体デバイスの微細化ロードマップを披露した。このロードマップでは、微細化の方向が3つに整理されている。シリコンデバイスの微細化、シリコン以外の材料の採用、CMOSではないデバイスの採用だ。imecは、CMOSロジックを微細化していく時の課題についても解説した。
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Applied Materialsの講演では、MOSFETの微細化ロードマップと、微細化の手法および課題が解説された。7nm世代のFinFETでは、フィンを狭く、高くするとともにコンタクト用の金属材料を変える必要が出てくる。FinFETの限界が見え始める5nm世代では、微細化の手法として主に2つの選択肢がある。
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術（JSR Micro編）
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ISS 2017で語られた半導体技術の今後（前編）
米国で開催された「Industry Strategy Symposium（ISS）」（2017年1月8〜11日）では、半導体技術の今後に関する議論が幾つか展開された。ナノワイヤトランジスタやGAA（Gate All Around）トランジスタといった次世代トランジスタ技術や、増加の一途をたどる設計コストなどについて、専門家たちが見解を披露している。
ASML、2018年にEUV装置を20台以上出荷予定
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