Samsung、業界初の512GB容量eUFS 3.0メモリを量産：2019年後半には1TB品も

[Dylan McGrath，EE Times]

　Samsung Electronicsは、業界初となる512GバイトのeUFS対応メモリの量産を開始したと発表した。

　同社は、「512GBのeUFSメモリは、JEDECが策定した規格『UFS（Universal Flash Storage）3.0』に準拠し、『eUFS 2.1』規格対応の旧品種と比べて2倍の速度を実現する。このため、スマートフォンユーザーは将来的に、超大型の高解像度ディスプレイでシームレスなユーザーエクスペリエンスを享受できるようになる」と述べている。

　同社によると、eUFS 3.0は、既存の超薄型ノートPCに匹敵する性能を実現するという。

　また同社は、「512GバイトのeUFS 3.0メモリは、第5世代の512GビットV-NANDダイを8個と、高性能コントローラを搭載する。シーケンシャル読み込み速度は2100Mバイト/秒で、当社が2019年1月に発表した最新型eUFS 2.1メモリと比べて2倍高い。eUFS 3.0の読み込み速度は、SATA SSDと比べて4倍、一般的なmicroSDカードと比べて20倍の高速化を実現している」と述べる。

Samsungは、「次世代モバイルデバイスに向けた512GバイトのeUFS 3.0メモリは、前品種のeUFSストレージの2倍の速度を実現するため、将来的に、超大型の高解像度ディスプレイ搭載スマートフォンのモバイルメモリで、ユーザーエクスペリエンスをサポートすることができる」と主張する。

　Samsungは、「新型メモリは、ランダム読み込み速度が6万3000IOPS（Input/Output Per Second）、ランダム書き込み速度が6万8000IOPSで、eUFS 2.1と比べて最大36％の高速化を実現している。また、シーケンシャル書き込み速度を50%高めたことにより、SATA SSDと同程度の410Mバイト/秒を達成した」と述べている。

　Samsungでメモリセールス／マーケティング担当エグゼクティブバイスプレジデントを務めるCheol Choi氏は、報道向け発表資料の中で、「2019年後半には、1TバイトのeUFSメモリを提供できる予定だ」と述べている。

　同社は2015年1月に、業界で初めて、eUFS 2.0準拠のUFSインターフェースを搭載したメモリの提供を開始した。この時、当時のモバイルメモリ規格「eMMC 5.1」と比べて、14倍の高速化を実現している。

【翻訳：田中 留美、編集：EE Times Japan】