主流はシリコンパワー半導体、EV市場に期待大：東芝デバイス＆ストレージ（1/2 ページ）

[永山準，EE Times Japan]

左＝東芝デバイス＆ストレージ、パワーデバイス技師長、川野友広氏

　東芝デバイス＆ストレージは、2019年4月、東京都内でパワー半導体に関する技術説明会を実施し、パワー半導体の市場予測や東芝のパワー半導体事業の現状などを説明した。東芝デバイス＆ストレージでパワーデバイス技師長を務める川野友広氏は、現在の主流はシリコン製品であり、特に高性能が要求されるMOSFETとハイパワー製品（＝IGBT）に注力するとしつつ、SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスの将来性にも触れ、「パワー半導体事業は非常に安定した事業だ。今後も製品開発と投資を継続していく」と語った。

パワーMOSFET製品サンプル（クリックで拡大）

今の主流はシリコンベース

　川野氏は、2019年4月からスタートした東芝グループの経営計画「東芝Nextプラン」において、「パワーエレクトロニクスの技術が不可欠であり、それを支えるパワー半導体が重要な位置付けになっている」と説明。パワー半導体市場の現在の主流はシリコンベースであり、2023年には、高耐圧MOSFETと低耐圧MOSFET、ハイパワー（IGBT）の3分野を合わせ、1.2兆円規模の市場に成長するという予測を示し、「われわれはこの3分野に注力していく」と強調した。

パワー半導体の市場予測（クリックで拡大）

　その後、川野氏は、同社が展開する製品から低耐圧MOSFETの「U-MOSシリーズ」、高耐圧MOSFETの「DTMOSシリーズ」について、その特長や主な用途、他社ベンチマークなどを紹介したほか、高耐圧／大電流のIEGT（Injection Enhanced Gate Transistor：電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ）についても、北海道と本州を結ぶ直流連携設備に採用された例を交えて説明した。

左＝高耐圧MOSFET「DTMOSシリーズ」のベンチマーク／右＝低耐圧MOSFET「U-TMOSシリーズ」のベンチマーク（クリックで拡大）