車載インバーターのSiC採用、2021年以降に活発化：PCIM Europe 2019でロームが講演（2/3 ページ）

ドイツ・ニュルンベルクで毎年5月ないし6月に開催されるパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe」において、年々存在感が高まっているのが、電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド自動車（PHEV）向けのパワーエレクトロニクス技術の紹介に特化したブース「E-Mobility Area」である。

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

「フォーミュラE」での取り組み

　ロームは、電気自動車のレースシリーズ「フォーミュラE」において、Venturiのテクノロジーパートナーとしてインバーター向けのSiCパワーデバイスをVenturiのレースチームに提供してきた。フォーミュラEのシーズン4（2017〜2018年）では、SiC-MOSFETとSiC-SBD（ショットキーバリアダイオード）を搭載したフルSiCのインバーターをVenturiと共同開発し、IGBTとSiダイオードを使った既存のインバーターに比べて、重さを6kg、サイズを43％低減することに成功している。法貴氏は「インバーターも、DC-DCコンバーターなどと同様に、SiCを採用するメリットは分かりやすい。とはいえ、SiCを使用すると非常に高価になってしまう。スイッチング周波数がそれほど高くないインバーターでは、（スイッチング損失の低減や小型化といったメリットよりも）高いコストが課題だ」と指摘した。

インバーターにSiCを採用するメリット（クリックで拡大）

ロームは、フォーミュラE用にVenturiと開発したインバーターをPCIM Europe 2019のブースに展示した。左は、Siデバイスを用いたシーズン2（2015〜2016年）のインバーターで、右がフルSiCのシーズン4（2017〜2018年）のインバーター（クリックで拡大）

第4世代のSiC-MOSFET（トレンチ型）を開発中

　法貴氏によれば、ロームは現在、第4世代のSiC-MOSFET（トレンチ型）を開発中だという。市場要求に応えるべく、ゲート電圧は15V、耐圧は750V、1200V、1700Vをラインアップする予定だ。さらに、パッケージング技術の開発も進める。「既存のパッケージではSiCパワーデバイスの特性を100％引き出すことが難しいので、パッケージの開発も不可欠だ。当社は、低インダクタンス、ハイパワー、より多くの機能を追加可能、という3つの方向性でパッケージの開発を進めている。これに沿って、車載アプリケーション向けのパッケージも開発中だ」（法貴氏）

ブースでは、ロームのSiCデバイスを採用したAGV（無人搬送車）チャージングシステム（左）やインバーターも展示されていた（クリックで拡大）

　なお、ロームは車載規格AEC-Q101に準拠したSiC-MOSFETやIGBTのラインアップを強化している。2019年3月には、トレンチゲート構造を採用した、AEC-Q101準拠のSiC-MOSFET「SCT3xxxxxHRシリーズ」に新たに10品種を追加したと発表した。