Neuromorphicがブレイクする予感 ―― メモリ国際学会と論文検索から見える動向：湯之上隆のナノフォーカス（13）（1/3 ページ）

2018年、2019年のメモリの学会「International Memory Workshop」（IMW）に参加し、見えてきた新メモリの動向を紹介したい。

[湯之上隆（微細加工研究所），EE Times Japan]

IMW2019に参加

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　半導体メモリの国際学会であるInternational Memory Workshop（IMW）が2019年5月12日から4日間の日程で、米国カリフォルニア州のHyatt Regency Monterey Hotelで開催された。初日の12日はチュートリアル、13〜15日の3日間が本会議だった。

　筆者は昨年（2018年）、京都で開催されたIMWから2年連続で、記者として本学会に参加した。本稿では、この2年間のIMWの論文から見えてくる新メモリの動向を報じる。

　また、IMWは、Institute of Electrical and Electronics Engineers（米国電気電子学会／以下、IEEE）公認の学会であるが、IEEEのデータベース（IEEE Xplore）を用いて新メモリの論文動向を調査した。その結果も、紹介する。

　結論を先取りすると、IMWでもIEEE Xploreによる論文調査でも、ReRAM（抵抗変化メモリ）を用いたNeuromorphic^＊）の論文数が急増しており、近い将来ブレイクする予感がする、と言える。

＊）Neuromorphic（ニューロモーフィック）：人間の脳を模したコンピュータ。

IMW2019の論文動向

　IMWの論文投稿数と採択論文数の推移を図1に示す。今年（2019年）は、74件の投稿があり、20件が採択されて口頭発表となった。その採択率は27％で、これは2019年6月に京都で開催されるVLSIシンポジウムなどに匹敵する狭き門である。また口頭発表以外にも、ポスター発表が13件、招待講演が12件あった。

図1：IMWの論文投稿数と採択数など （クリックで拡大） 出典：IMW主催者の発表データ

　次に、IMWの主催者が発表した2018年と2019年の新メモリの論文数シェアを図2に示す。2018年から2019年にかけて、ReRAMとMRAM（磁気抵抗メモリ）の論文シェアが大きく減少している。その一方で、PCRAM（相変化メモリ）、FeRAM（強誘電体メモリ）および、Neuromorphicの論文シェアが増大している。

図2：IMW2018とIMW2019で発表されたメモリの論文数シェア （クリックで拡大） 出典：IMW主催者の発表データを基に筆者作成

　ここで、筆者は、特にNeuromorphicに注目している。その理由を次ページ以降に示す。