SiCは自動車、GaNはスマホが普及をけん引：次世代パワー半導体（2/2 ページ）

パワーエレクトロニクスでは、GaN（窒化ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）などのワイドバンドギャップ（WBG）デバイスの採用が進んでいる。シリコンは依然として市場を独占しているが、GaNやSiCデバイスの登場によって、技術はより効率的な新しいソリューションに向かうと予想される。

[Maurizio Di Paolo Emilio，EE Times]

GaN市場でのM&Aが活発に

EE Times：SiCとGaNは、今後どのような技術的発展を遂げていくのか。

Dogmus氏：技術に関しては、SiCパワー半導体業界は現在、大口径SiCウエハーの品質向上と、パワーモジュール開発の実現に向けて注力しているところだ。GaN分野における主要動向としては、SiP（System in Package）またはSoC（System on Chip）のいずれかのソリューションにおけるGaNデバイスの統合が挙げられる。

EE Times：フルSiC、フルGaNモジュールの現在の開発状況はどうか。

Dogmus氏：フルSiCモジュールに関しては、重要な開発が進められており、特にダイアタッチ（die-attach）や基板インターコネクトなどのパッケージング材料や技術が重要視されている。メーカー各社は、高信頼性、高性能のパワーモジュールの実現に向け、引き続きフルSiCモジュールの開発に取り組んでいる。GaNについても、今後数年のうちに、自動車用途向けとして新しいGaNモジュールが開発される見込みだ。

　われわれとしては、SiCやGaNなどのWBGパワーデバイスは、大きなマイルストーンを達成したと理解している。デザインウィンを獲得している他、自動車や、スマートフォン向け急速充電器などの新興市場において、既に普及し始めている。これまでシリコンパワーデバイスを手掛けてきた大手メーカーのほとんどが、GaNまたはSiCのいずれかのパワー半導体市場に参入している。WBGを選択したプレイヤー企業を後押ししている要素としては、デバイスやシステムの高性能化や、高効率化、フォームファクタの小型化、システムコストの削減などが挙げられる。

SiCパワーデバイスの市場予測 出典：Yole Développement

EE Times：投資マップとしては、どのような分野にどれくらいの金額が投じられているのか。

Dogmus氏：成長著しいSiCパワー半導体市場では最近、ウエハー側に重点が置かれている。例えば、STMicroelectronicsは2019年、SiCウエハーメーカーであるNorstelを1億3750万米ドルで買収した。Creeも同時期に、SiCウエハーの製造に10億米ドルを投じ、完全な車載用SiC製品向けの8インチ製造設備の生産能力を活用していくと発表した。さらに、韓国のSK Siltronはつい最近、DuPontのSiCウエハー部門を4億5000万米ドルで買収し、手続きを完了させた。SiCメーカーにとって、ウエハー供給を確保することが最大の関心事であることは明らかだ。

　一方、パワーGaNは最近、新興市場での普及が進んでいる。今まさに投資が開始されたところで、今後数年間は継続するとみられる。例えばSTMicroelectronicsは2020年3月、GaNを手掛けるフランスExaganを買収すると発表した。

GaNパワーデバイス市場の主要プレイヤー 出典：Yole Développement