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住友電工が高品質6インチSiC基板を製品化：パワーデバイス向け
住友電気工業は2020年5月11日、低転位密度で厚みバラツキや反りを低減したパワーデバイス用6インチ（150mm径）SiC（炭化ケイ素）単結晶基板の開発に成功したと発表した。
住友電気工業は2020年5月11日、低転位密度で厚みバラツキや反りを低減したパワーデバイス用6インチ（150mm径）SiC（炭化ケイ素）単結晶基板の開発に成功し製品化すると発表した。2020年度下期から開発した基板をSiCエピタキシャル基板製品に適用する方針。
新たに製品化する6インチSiC単結晶基板「CrystEra」は、同社の化合物半導体技術に加え、高精度シミュレーションなどを取り入れた独自技術「MPZ1」を駆使した成長炉を活用。さらに硬脆性なSiCに適した加工技術の構築によって、低転位密度でありながら厚みバラツキや反りを低減することに成功したという。
住友電気工業では開発したCrystEraを、2017年度から量産している高品質エピタキシャル基板製品「EpiEra」の基板として適用する予定。同社は「基板から、エピタキシャル基板、デバイスの一貫生産が可能なメーカーとして、引き続きCrystEra、EpiEraを用いた高品質なSiC材料の供給を行い、幅広い分野においてより高性能なパワーデバイスの実現に貢献していく」としている。
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