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競合比2倍のIO密度を実現する低消費電力汎用FPGA28nm FD-SOIプロセス製品第2弾(1/2 ページ)

ラティスセミコンダクターは2020年6月25日、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン ・インシュレーター)を採用した低消費電力FPGAプラットフォーム「Nexus」の第2弾製品となるFPGA「Certus-NX」を発表した。低消費電力、小型で同等の競合FPGAと比較し1mm△△2△△あたり最大2倍のIO(入出力)密度を実現するなど、「低消費電力の汎用FPGAを再定義し、エンドユーザーに喜ばれる製品のイノベーションを可能にする」と説明している。

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 Lattice Semiconductor(ラティスセミコンダクター/以下、ラティス)は2020年6月25日、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン ・インシュレーター)を採用した低消費電力FPGAプラットフォーム「Nexus」の第2弾製品となるFPGA「Certus-NX」を発表した。低消費電力、小型で同等の競合FPGAと比較し1mm2あたり最大2倍のIO(入出力)密度を実現するなど、「低消費電力の汎用FPGAを再定義し、エンドユーザーに喜ばれる製品のイノベーションを可能にする」と説明している。


低消費電力FPGAプラットフォーム「Nexus」の第2弾製品「Certus-NX」 出典:Lattice Semiconductor

前回から6カ月、プラットフォーム化で加速する開発

 ラティスは、FPGA製品の展開について、これまでのようなファミリーごとに製品を作っていく手法から、1つのプラットフォームで複数製品をリリースする新たな手法に転換。2019年12月、Samsung Electronicsの28nm FD-SOIプロセスを採用した新たな低消費電力FPGAプラットフォーム「Nexus」を発表。同時にその第1弾の製品として「CrossLink-NX」を発表していた。Certus-NXはこのプラットフォームで開発し、第1弾からわずか6カ月での新製品発表を実現。同社は、「新製品のリリースペースは従来の3倍になった」と説明している。なお、2020年後半には次の製品リリースも計画しているという。


ラティスの製品ロードマップ (クリックで拡大) 出典:Lattice Semiconductor

3分の1のサイズ、面積当たり2倍のIO密度、70%高速な差動IO

 今回発表されたCertus-NXは、インダストリアルオートメーションや5G(第5世代移動通信)などの技術トレンドによって高まる、「PCIeやギガビットイーサネットなどインタフェースをサポートする低消費電力プロセッシングハードウェア」へのニーズに応える製品だ。

 Certus-NXでは、同クラスの競合製品と比較し最大3分の1のサイズでありながら、PCIeやギガビットイーサネットに対応。最も小型のパッケージでも、同等の競合FPGAと比較し1mm2あたりのIO密度を最大2倍に向上できるとしている。また差動IO速度は1.5Gビット/秒とこちらも同等の競合製品と比較し70%高速化している。

左=Certus-NXの概要/高いIO密度について、同クラスの競合製品との比較。なおこのクラスの競合製品は最新のものでも10年ほど前にリリースされているといい、同社は「この10年間ほとんど更新されていないこのクラスの製品に最新の技術を提供する」としている (クリックで拡大) 出典:Lattice Semiconductor

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