Micron広島工場は「日米連携強化の象徴」：1β DRAM量産開始の記念式典で（2/2 ページ）

Micron Technology（以下、Micron）は2022年11月16日、同社の広島工場（広島県東広島市）で、1βnm世代のDRAMの量産開始を記念した式典を開催した。式典には、Micronの社長兼CEOであるSanjay Mehrotra氏、グローバルオペレーションズ エグゼクティブバイスプレジデントのManish Bhatia氏の他、経済産業省 商務情報政策局長の野原諭氏、広島県知事の湯崎英彦氏、駐日米国大使のラーム・エマニュエル氏らも出席した。

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

EUV導入に向け日本政府への働きかけも

MicronのManish Bhatia氏

　式典後に開催された記者説明会でBhatia氏は、1β DRAMの開発／製造について「広島工場では過去3年にわたり膨大な資金を投入して1β DRAMの開発に取り組んできた。今後少なくとも2年間は、毎年10億米ドル以上を投資して1β DRAMの量産体制を強化していく計画だ」と語った。Micronは、1β DRAMの生産増強において日本政府から最大約465億円の助成金交付を受ける予定になっている。Bhatia氏は「日本政府からの助成金交付には感謝している。支援金は1β DRAMの製造に一部活用するが、生産増強に関する大半の投資はMicron自身の資金によって行うものだ」と付け加えた。

　なおMicronは、今後10年間で1500億米ドルをR＆Dに投資する計画だが、広島工場への投資額については、「具体的な金額は開示していない」（Mehrotra氏）とした。

　Micronは、1β DRAMではマルチパターニングの液浸リソグラフィ技術を採用しているが、2024年以降の立ち上げを予定している1γnm世代については、EUV（極端紫外線）リソグラフィ技術を導入する予定であることを明らかにしている。一方で、日本では高圧ガス関連の法律によりEUVリソグラフィ装置の輸入に障壁があるともいわれる。Bhatia氏は「広島工場での将来的なEUV導入の可能性も見据え、高圧ガスのコンポーネントの承認に向け、キーサプライヤーや日本政府に働きかけをしている」と語った。

Micronは2024年以降、1γnm世代のDRAMにおいてEUVリソグラフィ技術を導入する計画だ［クリックで拡大］ 出所：Micron Technology

　Mehrotra氏は昨今のメモリ／ストレージの市況について、「今は厳しい状況だ」と述べた。「幅広い分野の顧客が在庫調整の時期に入っており、需要が減速している。パンデミックや、ロシアによるウクライナ侵攻、急激なインフレなど、現在はマクロ経済の影響で需給バランスが崩れている。Micronはそうした環境に対応すべく、既に対応を始めており、必要に応じてさらなる調整を行う。われわれは需要に応じて供給を適切にコントロールすることに注力しているが、需給バランスが正常に戻るまでには数四半期を要するだろう」（同氏）

　なおMicronは2022年11月16日（米国時間）、DRAMとNAND型フラッシュメモリの供給量を、2022年8月期第4四半期（2022年6〜8月）比で約20％削減すると発表している。併せて、設備投資の追加削減も検討しているとした。