裏面電源供給がブレークする予感、そしてDRAMも3次元化に加速 〜VLSI2023：湯之上隆のナノフォーカス（64）（2/7 ページ）

2023年6月に開催された「VLSIシンポジウム2023」は大盛況であった。本稿では、筆者が“ブレークの予感”を抱いた裏面電源供給技術と、3D（3次元） NAND／DRAM技術に焦点を当てて、解説する。

[湯之上隆（微細加工研究所），EE Times Japan]

Workshops、Short Courses、本会議の参加者数

　VLSI2023の前夜祭的な位置付けとして、6月11日（日）の夜に、6件のWorkshopsが行われた（図4）。Workshopsは、本会議では取り上げにくいテーマにフォーカスすることを目的として、2019年に試験的に導入された。

図4　Workshopsの延べ参加者数［クリックで拡大］ 出所：2023年6月12日のPress Dinnerで配布された資料

　拙著記事「半導体業界のトレンドは「3次元化」が明確に　VLSI 2019」によれば、初年度の2019年のWorkshopsでは、Atomic Layer Processing（83人）、2D Materials（47人）、3D Integration（61人）の3つのテーマで合計191人が参加した。

　ところがその4年後のVLSI2023では、「本会議では取り上げにくいテーマ」だけでなく、Backside Power Deliveryなど、現在の旬のテーマも加えられており、その延べ参加人数は739人にのぼっている。この参加者数をみると、もはやWorkshopsは、本会議の前座とは言えないのではないか？

　次に、6月12日（月）に行われたShort Courses（SC）を見てみよう（図5）。SCでは、2つのセッションが同時開催された。SC1は“Advanced CMOS technologies for 1 nm & beyond”（395人）、SC2は “Future directions in Highspeed Wireline/Optical IO”（115人）で、合計511人が参加した（ただし、この511人はリアルに参加した人数であり、参加登録した人数は689人に上っている）。

図5　Short Coursesの参加者数［クリックで拡大］ 出所：2023年6月12日のPress Dinnerで配布された資料

　そして本会議では、6月13日に集計した時点で1555人がレジストレーションを行っている（図6）。この人数は、過去10年間で最多であるが、6月13日以降に登録する人もいるだろうし、6月19日以降のオンデマンドで参加する人もいるだろう。となると、VLSI2023の参加者は、恐らく1600人を超え、もしかしたら1700人に迫る人数になるのではないか。

図6　VLSIシンポジウムのRegistrationのトレンド［クリックで拡大］ 出所：2023年6月12日のPress Dinnerで配布された資料

　前述した通り、多くの発表会場では立ち見が出るほど満席で、2カ所のバンケット会場は入りきれないほどの人出だった。もし今後も参加者数が増え続けた場合、リーガロイヤルホテル京都のキャパシティーでは対応できないように思う。

　それでは、異常と思えるほどの論文数と参加者数を記録したVLSI2023で、筆者はどの発表に注目したか。最初にその概要を述べると以下の通りである。

1）GAA構造が注目される先端ロジック半導体では、裏面電源供給ネットワーク（Backside Power Delivery Network: BSPDN）がブレークする予感を覚えた

2）DRAMでは、14nmノード付近からEUVが使われているが、2020年代後半に“3D DRAM”が登場する可能性がある

3）積層数の増大が続いている3D NANDでは、新たなドライエッチング技術の登場により、今後もより一層、積層数が増大していくだろう

　では、まず、先端ロジック半導体の注目発表を紹介しよう。