回路形成済みウエハーの裏面研削とダイシング：福田昭のデバイス通信（443） 2022年度版実装技術ロードマップ（67）（1/2 ページ）

今回は第3章第4節第3項（3.4.3）「ウエハ（チップ）薄型化技術とウエハハンドリング」の概要を説明する。第3項は、裏面研磨技術、ウエハーダイシング技術、DBG（Dicing Before Grinding）プロセスの3つで構成される。

[福田昭，EE Times Japan]

後工程は回路形成済みウエハの加工から始まる

　電子情報技術産業協会（JEITA）が3年ぶりに実装技術ロードマップを更新し、「2022年度版　実装技術ロードマップ」（書籍）を2022年7月に発行した。本コラムではロードマップの策定を担当したJEITA Jisso技術ロードマップ専門委員会の協力を得て、ロードマップの概要を本コラムの第377回からシリーズで紹介している。

　前回から、第3章第4節（3.4）「パッケージ組立プロセス技術動向」の内容説明に入った。第3章第4節は、第1項から第9項までの9個の項目で構成される。内容は、パッケージを組み立てるための要素技術の説明である。

　前回は第3章第4節第2項（3.4.2）「ハイブリッドボンディング」の概要をご報告した。今回は第3章第4節第3項（3.4.3）「ウエハ（チップ）薄型化技術とウエハハンドリング」の概要をご説明する。「3.4.3　ウエハ（チップ）薄型化技術とウエハハンドリング」は、パッケージ組み立て工程（後工程）の始めの部分に相当する。電子回路を形成済みのウエハーを所望の厚みに研削し、個々のダイに切り離す。

第3章第4節（3.4）「パッケージ組立プロセス技術動向」の主な目次。「2022年度版　実装技術ロードマップ」（書籍）から筆者がまとめたもの［クリックで拡大］

　「3.4.3　ウエハ（チップ）薄型化技術とウエハハンドリング」は以下の3つの項目で構成される。（1）裏面研削技術、（2）ウエハダイシング技術、（3）DBG（Dicing Before Grinding）プロセス、である。

ウエハの薄型化：砥石によってウエハを裏面から研削

　裏面研削（バックグラインド）技術の主流は、砥石（ダイヤモンドの粒を埋め込んだ円板）を回転させながらウエハーを裏面から少しずつ削っていく機械的な研削手法である。この手法によって直径300mmのウエハーをわずか15μm前後にまで薄くできる。ただし、薄くするとウエハーが著しく反りやすくなる、ウエハーが破損しやすくなるといったデメリットが生じる。そこで極端に薄いウエハーは、支持体（キャリア）にウエハーを貼り付けてから、研削後の工程を実施する「ウエハーサポートシステム（WSS：Wafer Support System）」を使うのが一般的な反り・破損対策となっている。

　なお、裏面照射型CMOSイメージセンサーはウエハーをわずか5μm程度にまで薄くする。この裏面研削技術は不明な点が残るが、機械的な研削手法は使われていないとみられる。