GaNパワー半導体特許紛争でEPCが「勝利」、米ITCが特許侵害認定：電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記

2023年5月から続いているGaNパワー半導体の主要メーカー同士の特許係争について、2024年11月上旬、米国国際貿易委員会（ITC）が最終決定を下しました。

[永山準，EE Times Japan]

　この記事は、2024年11月18日発行の「電子機器設計／組み込み開発 メールマガジン」に掲載されたEE Times Japan／EDN Japanの編集担当者による編集後記の転載です。

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GaNパワー半導体特許紛争でEPCが「勝利」、米ITCが特許侵害認定

　2024年11月12〜15日、ドイツ・ミュンヘンにおいて欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2024」が開催されました。ドイツを拠点とする筆者にとっては今月最大のイベントであり、開催前夜（下記リンク）から現地入りし取材を行っていました。その内容はレポート記事としてこれからもどんどんお届けしていくので、ぜひご覧ください。

　そんな中で見逃してしまっていたのですが、2023年5月から続いているGaN（窒化ガリウム）パワー半導体の主要メーカー同士の特許係争について、2024年11月上旬、米国国際貿易委員会（ITC）が最終決定を下したという大きな動きがありました。その内容は、中国Innoscienceが米国EPC（Efficient Power Conversion）の特許を侵害していると判定したというものです。

対象となるGaN関連製品の米国への輸入が禁止に