UVナノインプリントによるシリコンフォトニクスプロセスを開発：光硬化性樹脂を新たに開発（2/2 ページ）

東京科学大学と東京応化工業は、UVナノインプリントリソグラフィー（UV-NIL）を用いたシリコンフォトニクス半導体プロセスを開発した。開発した光硬化性樹脂と同プロセスを用いて試作したシリコン導波路は、電子線描画を用いて作製した光導波路と同等レベルの性能が得られることを確認した。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

伝搬損失を評価

　研究グループは、開発したプロセスで作製したシリコン導波路について、その伝搬特性を評価した。この結果、波長1550nmのTEモード光に対する単位長さ当たりの伝搬損失は1.6dB/cm程度であった。この値は、ドライArFを用いる従来の90nm CMOSラインや電子線描画を用いて作製した光導波路と同程度の性能だという。

開発したプロセスで作製したシリコン導波路の伝搬特性［クリックで拡大］ 出所：東京科学大学他

　なお、開発したナノインプリント用の光硬化性樹脂については、東京応化工業がサンプル品として外部に提供する。シリコンフォトニクスのプロセスレシピは、東京科学大学がデータシートとして外部に提供する。

　今回の研究成果は、東京科学大学工学院電気電子系の雨宮智宏准教授や永松周学士課程学生、西山伸彦教授らと、東京応化工業の森莉紗子氏、藤井恭氏、浅井隆宏氏、塩田大氏らによるものである。